EN61326-1性能標(biāo)準(zhǔn):
性能標(biāo)準(zhǔn)A和B中定義的第一部分在EN 61326-1中保持不變。但是,2013版增加了與“允許的性能損失”相關(guān)的部分。如果制造商未確定最低性能級(jí)別或允許的性能損失,用戶可以根據(jù)設(shè)備或產(chǎn)品文檔的合理期望推斷它們。換句話說,產(chǎn)品的功能仍然可以通過2006版本中指定的用戶干預(yù)來恢復(fù) - 這個(gè)版本只是有額外的措辭來澄清。EN61326-1排放標(biāo)準(zhǔn):
2006版本參考CISPR 11:2003,而2013版本參考CISPR 11:2009 + A1:2010。CISPR 11:2009的第一次修訂已經(jīng)為“小型設(shè)備”在3米測(cè)試距離處建立了替代輻射發(fā)射限值,其中“小型設(shè)備”被定義為適合于距離地平面1.5米的圓柱形測(cè)試體積和1.2米的設(shè)備。放在平坦表面上時(shí)的直徑。EN61326-1基本環(huán)境中的免疫力:
靜電放電(ESD)的測(cè)試水平從EN 61636-1:2006中的±4 kV接觸放電和±4 kV空氣放電增加到EN 61326-1:2013中的±4 kV接觸放電和±8 kV空氣放電。這一變化旨在使標(biāo)準(zhǔn)更接近非實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。對(duì)于磁敏設(shè)備,EN 61326-1:2013增加了對(duì)工頻磁抗擾度(IEC 61000-4-8)的新要求,測(cè)試水平為3A / m。受影響的設(shè)備類型包括霍爾效應(yīng)傳感器和磁繼電器。
EN61326-1工業(yè)環(huán)境的免疫力:
2013版中的每個(gè)訂單項(xiàng)現(xiàn)在都有符合2006標(biāo)準(zhǔn)的性能標(biāo)準(zhǔn)。沒有進(jìn)行任何其他更改,使此部分基本相同。受控EM環(huán)境的免疫性:
EN 61326:2006有一個(gè)名為“Measurement I / O”的端口類別,允許制造商定義測(cè)試級(jí)別(即沒有強(qiáng)制測(cè)試級(jí)別),并在產(chǎn)品文檔中說明EUT的測(cè)試級(jí)別。在EN 61326:2013中,此端口類別已被刪除。因此,先前屬于“測(cè)量I / O”類別的端口現(xiàn)在將屬于剩余的“I / O信號(hào)/控制”類別,其中所需的測(cè)試級(jí)別由標(biāo)準(zhǔn)定義,而不是由制造商。以上資料由環(huán)測(cè)威標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)整理發(fā)布,如有疑問或需檢測(cè)認(rèn)證歡迎與環(huán)測(cè)威標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)直接溝通。深圳環(huán)測(cè)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)擁有自建實(shí)驗(yàn)室,為廣大客戶提供專業(yè)的各行各業(yè)的檢測(cè)認(rèn)證服務(wù),深受廣大客戶信賴。